? ? ? 化學氣相沉積是一種化工技術(shù)，該技術(shù)主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)、在襯底表面上進行化學反應(yīng)生成薄膜的方法。化學氣相淀積是近幾十年發(fā)展起來的制備無機材料的新技術(shù)。化學氣相淀積法已經(jīng)廣泛用于提純物質(zhì)、研制新晶體、淀積各種單晶、多晶或玻璃態(tài)無機薄膜材料。這些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素間化合物，而且它們的物理功能可以通過氣相摻雜的淀積過程精確控制。化學氣相淀積已成為無機合成化學的一個新領(lǐng)域。
? ? ?現(xiàn)代科學和技術(shù)需要使用大量功能各異的無機新材料，這些功能材料必須是高純的，或者是在高純材料中有意地摻入某種雜質(zhì)形成的摻雜材料。但是，我們過去所熟悉的許多制備方法如高溫熔煉、水溶液中沉淀和結(jié)晶等往往難以滿足這些要求，也難以保證得到高純度的產(chǎn)品。因此，無機新材料的合成就成為現(xiàn)代材料科學中的主要課題
化學氣相沉積（CVD）
1.原理：化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition 簡稱CVD) 是利用氣態(tài)或蒸汽態(tài)的物質(zhì)在氣相或氣固界面上發(fā)生反應(yīng)生成固態(tài)沉積物的過程。
2.過程：化學氣相沉積過程分為三個重要階段：反應(yīng)氣體向基體表面擴散、反應(yīng)氣體吸附于基體表面、在基體表面上發(fā)生化學反應(yīng)形成固態(tài)沉積物及產(chǎn)生的氣相副產(chǎn)物脫離基體表面。＊常見的化學氣相沉積反應(yīng)有:熱分解反應(yīng)、化學合成反應(yīng)和化學傳輸反應(yīng)等。
3.化學氣相沉積法之所以得到發(fā)展，是和它本身的特點分不開的，其特點如下：
（1）沉積物種類多: 可以沉積金屬薄膜、非金屬薄膜，也可以按要求制備多組分合金的薄膜，以及陶瓷或化合物層。
（2） CVD反應(yīng)在常壓或低真空進行，鍍膜的繞射性好，對于形狀復雜的表面或工件的深孔、細孔都能均勻鍍覆。
（3）能得到純度高、致密性好、殘余應(yīng)力小、結(jié)晶良好的薄膜鍍層。
（4）由于薄膜生長的溫度比膜材料的熔點低得多，由此可以得到純度高、結(jié)晶完全的膜層，這是有些半導體膜層所必須的。
（5）利用調(diào)節(jié)沉積的參數(shù)，可以有效地控制覆層的化學成分、形貌、晶體結(jié)構(gòu)和晶粒度等。
（6） 設(shè)備簡單、操作維修方便。
（7） 反應(yīng)溫度太高，一般要850-1100℃下進行，許多基體材料都耐受不住CVD的高溫。采用等離子或激光輔助技術(shù)可以降低沉積溫度。
?CVD設(shè)備種類及其特點和應(yīng)用領(lǐng)域
? ? ? 化學氣相沉積的方法很多，如常壓化學氣相沉積(Atmospheric pressure CVD，APCVD)、低壓化學氣相沉積(Low pressure CVD，LPCVD)、超高真空化學氣相沉積(Ultrahigh vacuum CVD，UHVCVD)、激光誘導化學氣相沉積(Laser CVD，LCVD)、金屬有機物化學氣相沉積(Metal-organic CVD，MOCVD)，等離子體化學氣相沉積（Plasma enhanced CVD，PECVD）等。
? ? 根據(jù)CVD的加熱方式，可以將CVD分為熱壁和冷壁兩種。市面上常見的化學氣相沉積系統(tǒng)通常是熱壁CVD，直接依靠爐體的升溫對生長區(qū)進行加熱。熱壁CVD工藝相對更加成熟，制備成本較低，且在材料生長中表現(xiàn)出良好的可靠性，因此收到眾多實驗室的青睞。冷壁 CVD 系統(tǒng)通過恒流源直接對導電襯底供電加熱，腔壁和樣品無直接接觸，僅由于熱輻射傳導而略微升溫，因此稱為“冷壁”。它的優(yōu)點是其降溫速度可以通過所加的恒流源控制，能夠在較大的范圍內(nèi)控制降溫速率。
微波等離子體設(shè)備氣路、MPCVD鉆石生長設(shè)備供氣氣路、CVD培育鉆石設(shè)備供氣、CVD設(shè)備氣路管道安裝、CVD設(shè)備氣路閥板、CVD設(shè)備供氣裝置等
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